ИПТМ РАН

Связаться со стендом

16 мая. - 19 мая., Москва, ООО «КВЦ Сокольники»

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) был создан в соответствии с постановлением ЦК КПСС и СМ от 29 мая 1983г. И постановлением Президиума АН СССР от 29 сентября 1983 г. N1067 на базе подразделений Института физики твердого тела и начал функционировать с 1 января 1984 г.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии наук формировался в 1982 - 1983 г.г. в составе Института физики твердого тела АН СССР и получил самостоятельность 1 января 1984 года. Основатель новой академической организации и ее директор в первые годы член-корр. АН СССР, дважды лауреат Государственной премии СССР, профессор Ч. В. Копецкий заложил в жизнь молодого научного учреждения основы таких традиций, как динамизм в проведении исследований, поиск их приложений в самых неожиданных областях, направленность исследований на получение конечного результата. Большой вклад в формирование научных направлений Института внес безвременно умерший кандидат физико-математических наук Г.И. Коханчик.

Вопрос - ответ